Semi-conducteurs : la Commission Européenne investit 920 millions d'euros dans un "megafab de pointe"
Face aux enjeux géopolitiques liés aux semi-conducteurs, la Commission Européenne a approuvé un programme de financement de 964 millions de dollars (920 millions d’euros) pour soutenir la construction d'une nouvelle usine de fabrication de puces d’Infineon à Dresde.
Le groupe spécialiste des semi-conducteurs Infineon, spin-off de Siemens AG, prévoit d'investir environ 3,5 milliards d'euros dans une nouvelle usine à Dresde. Il recevra un soutien financier dans le cadre programme global de 15 milliards d'euros mis en place par la Commission Européenne pour soutenir les initiatives publiques et privées dans le secteur des semi-conducteurs. Pour Teresa Ribera, vice-présidente exécutive chargée de la transition propre, juste et compétitive à la Commission européenne : « La mesure allemande de 920 millions d'euros approuvée aujourd'hui soutient un megafab de pointe à Dresde. Ce projet soutiendra le développement d'une économie numérique forte et résiliente en Europe et assurera un approvisionnement sûr en semi-conducteurs pour l'industrie tout en limitant toute distorsion potentielle de la concurrence. »
Augmenter la production et la performance
Le financement permettra à Infineon de terminer son projet "MEGAFAB-DD" qui produira des circuits intégrés analogiques/mixtes sur ce site. La Commission européenne a précisé que l'usine sera la première en Europe à pouvoir passer rapidement entre ces deux types de technologies et la production de circuits intégrés analogiques/mixtes, tout en maintenant un haut niveau de production. L’usine de fabrication disposera de capacités de traitement, de test et de séparation des wafers (les tranches/plaquettes de matériau semi-conducteur) et atteindra sa pleine capacité de production d'ici 2031. De plus, Infineon détient également 10 % de l'usine ESMC (European Semiconductor Manufacturing Company) de TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) à Dresde, qui devrait être opérationelle en 2027, avec une capacité de production de 40 000 wafers par mois. En octobre 2024, Infineon a dévoilé les tranches de puissance en silicium les plus fines du monde, de 20 micromètres d'épaisseur et de 300 mm de diamètre, soit deux fois moins épais que les wafers actuels de pointe mesurant entre 40 et 60 micromètres. Cette annonce intervient après son développement réussi des premiers wafers de nitrure de gallium (GaN) de 300 mm d'épaisseur au monde, moins de deux mois avant.
